| 申请日期 | 2025-07-29 | 申请号 | CN201611030272.1 |
| 公开（公告）号 | CN106518075A | 公开（公告）日 | 2017-03-22 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 哈尔滨工业大学 | ||
| 简介 | 本发明提供了一种片层状BN(C)晶粒增韧的Si B C N陶瓷的制备方法，属于Si B C N陶瓷制备方法技术领域。步骤一、按照摩尔比和质量比称取立方硅粉、六方氮化硼粉、石墨粉和六硼化镧粉作为原料备用；步骤二、将步骤一称取的原料装入球磨罐中，在氩气气氛保护下进行高能球磨即获得含有LaB6的Si B C N陶瓷复合粉末；其中球料质量比为10～90 : 1，磨球直径为5～9mm，球磨时间为10～60h；步骤三、将步骤二获得的陶瓷复合粉末进行放电等离子烧结即可获得片层状BN(C)晶粒增韧的Si B C N陶瓷材料。本发明制备方法得到的硅硼碳氮陶瓷材料具有较高的断裂韧性，降低了陶瓷发生“灾难性”断裂的可能性；添加的稀土化合物LaB6促成了片层状BN(C)晶粒的原位生长。 | ||
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