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一种无机钙钛矿型锰氧化物可见光电导薄膜的制备方法及应用 发明授权

2023-07-17 1810 836K 0

专利信息

申请日期 2025-07-28 申请号 CN202110601288.8
公开(公告)号 CN113363333B 公开(公告)日 2022-02-01
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 西南科技大学
简介 本发明公开了一种无机钙钛矿型锰氧化物可见光电导薄膜的制备方法及应用,包括:取稀土金属盐和MnC4H6O4·4H2O加入乙醇中,得到混合溶液;在搅拌中,在混合溶液中先后加入一水柠檬酸和聚合物,搅拌、加热回流,得到提拉溶胶;将单晶衬底依次用去离子水、丙酮超声清洗,烘干;将烘干后的单晶衬底置于浸渍提拉镀膜机上,将提拉溶胶置于浸渍提拉镀膜机内,设置浸渍提拉参数,浸渍提拉得到薄膜;将浸渍提拉得到的薄膜置于马弗炉中烧结,即制得无机钙钛矿型锰氧化物可见光电导薄膜。本发明的RMnO3外延薄膜在不同强度可见光照射下,薄膜中产生明显的光电流,电导率变化明显,响应迅速,随着辐照光强的增加,光电流也随之增强。


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