| 申请日期 | 2025-06-24 | 申请号 | CN201510363035.6 |
| 公开（公告）号 | CN105037405B | 公开（公告）日 | 2017-03-01 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 黑龙江大学 | ||
| 简介 | 一种单分子磁体Dy2(salen)2(tta)4(OAc)2的制备方法，它涉及一种单分子磁体的制备方法。本发明要解决目前所面临的稀土配合物单分子磁体合成产率较低，配合物的合成方法复杂，不能够批量生产等问题。一种单分子磁体Dy2(salen)2(tta)4(OAc)2的分子式为C84H56Dy2F12N4O16S4，晶系为三斜晶系。制备方法：将混合溶液C加热回流，再冷却至室温，再进行过滤，得到溶液D；再将混合溶液E通过溶液扩散方式扩散到溶液D中，再进行静置，得到单分子磁体Dy2(salen)2(tta)4(OAc)2。本发明可得到一种单分子磁体Dy2(salen)2(tta)4(OAc)2。 | ||
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