| 申请日期 | 2025-06-29 | 申请号 | CN201610902997.9 |
| 公开（公告）号 | CN106430090A | 公开（公告）日 | 2017-02-22 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 南昌航空大学 | ||
| 简介 | 本发明公开了一种稀土掺杂TiO2的杂化太阳电池，其特征在于：稀土掺杂TiO2可有效调控其能级结构。n 型半导体材料是杂化太阳电池体异质结的核心部分，它不仅是p 型半导体材料的支撑或吸附载体，而且也是电子的传输载体。TiO2纳米晶作为n 型半导体，具有高介电常数、长激发态寿命、高能态密度、低电子 空穴复合率等诸多优点，使其成为理想的电子受体材料。目前所使用的p 型有机聚合物半导体材料与n 型半导体TiO2之间存在能级匹配不佳的问题，导致p 型有机材料中的光生子注入n 型半导体CB的效率降低，因而掺杂TiO2具有广泛的运用价值，适用于商业化生产。 | ||
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