| 申请日期 | 2025-07-08 | 申请号 | CN201610871057.8 |
| 公开（公告）号 | CN106431414A | 公开（公告）日 | 2017-02-22 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 连云港东渡碳化硅有限公司 | ||
| 简介 | 本发明公开了一种无压烧结碳化硅陶瓷的制备方法，该方法以SiC粉体、二氧化硅、氧化铝、三氧化二钇、稀土氧化物和晶种为原料，通过分步分散和复合分散剂来实现各种烧结助剂成分与碳化硅粉体均匀，该方法可满足在无压烧结条件下以较少的烧结助剂添加量来制备致密碳化硅陶瓷的需要。能显著减少SiC陶瓷体中残留的玻璃相含量，提高陶瓷体的强度、韧性、热导率性等性能。 | ||
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