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复合陶瓷及半导体制造装置之构成构件 发明授权

2023-08-08 4070 1393K 0

专利信息

申请日期 2025-08-03 申请号 TW102106728
公开(公告)号 TWI570090B 公开(公告)日 2017-02-11
公开国别 TW 申请人省市代码 全国
申请人 日本钨合金股份有限公司
简介 [所欲解决之技术问题]; 本发明之课题在於得到兼具耐腐蚀性(电浆耐性)及机械强度的陶瓷材料; [解决问题之技术手段]; 为具有MgO、YAP(YAlO3)、尖晶石(MgAl2O4)之3相复合陶瓷此复合陶瓷,具有比氧化铝更高,而与MgO相同程度的电浆耐性前述复合陶瓷的硬度或弯曲强度等机械特性,与Al2O3为相同程度或者更优原料价格及制造费用比稀土类氧化物更低进而,藉由添加导电性粒子,可以降低电阻率这些复合陶瓷,特别是於应用在半导体制造装置的构成构件


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