| 申请日期 | 2025-06-28 | 申请号 | TW110111560 |
| 公开（公告）号 | TW202205360A | 公开（公告）日 | 2022-02-01 |
| 公开国别 | TW | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | ||
| 简介 | 本发明实施例揭示一种具有不同闸极结构组态的半导体装置以及一种半导体装置的制造方法。半导体装置的制造方法包括：沉积围绕奈米结构通道区的高介电常数介电层；使用稀土金属基掺质并以第一稀土金属基掺质浓度对高介电常数介电层的第一部份与第二部分进行第一掺杂步骤；以及使用稀土金属基掺质并以第二稀土金属基掺质浓度对高介电常数介电层的第一部份与第三部分进行第二掺杂步骤第二稀土金属基掺质浓度与第一稀土金属基掺质浓度不同。半导体的制造方法更包括于高介电常数介电层上沉积功函数金属层以及于功函数金属层上沉积闸极填充层。; -.-()--.--------- | ||
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