| 申请日期 | 2025-06-28 | 申请号 | CN201610964128.9 |
| 公开（公告）号 | CN106384637A | 公开（公告）日 | 2017-02-08 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 北京科技大学 | ||
| 简介 | 一种改善边界结构制备高性能钕铁硼磁体的方法，属于稀土永磁材料领域。本发明在钕铁硼粉取向压型之前，采用磁控溅射或真空蒸镀的方法在钕铁硼粉末颗粒的表面沉积一层厚度为10 100nm的R M或M M低熔点合金，R为La, Ce, Pr, Nd, Gd, Tb, Dy, Ho，M为Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Ga, Al, Sn, Ag，取向压型后，只进行液相烧结而无固相烧结，以避免产生烧结颈，最后进行回火热处理，使2 : 14 : 1主相晶粒被低熔点相均匀包覆，实现充分的隔绝，且获得晶粒尺寸接近颗粒尺寸的细晶组织，最终得到高性能烧结钕铁硼磁体。 | ||
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