| 申请日期 | 2026-04-26 | 申请号 | CN201610933230.2 |
| 公开（公告）号 | CN106384660A | 公开（公告）日 | 2017-02-08 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 广东省稀有金属研究所 | ||
| 简介 | 一种烧结钕铁硼磁体表面扩散层的制备方法。步骤如下：采用磁控溅射法，在厚度1~8mm的烧结钕铁硼磁体表面沉积厚度1~5μm的Cu M合金；在真空度10 2~10 4Pa下，温度800~1100℃，热处理1~10小时；再于550~750℃下，热处理1~10小时，最后于温度400~500℃，热处理1~5小时，即得到所述烧结钕铁硼磁体表面扩散层。本发明方法制备的扩散层不含价格昂贵的稀土元素，在保证扩散效果的同时，降低了稀土元素的使用量，方法简便有效，在保证烧结钕铁硼磁体剩磁的前提下，大幅度提高了磁体的矫顽力。本发明适用于稀土质量百分含量30~35%的烧结钕铁硼磁体。 | ||
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