| 申请日期 | 2025-06-24 | 申请号 | TW102101380 |
| 公开（公告）号 | TWI567939B | 公开（公告）日 | 2017-01-21 |
| 公开国别 | TW | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 瑞萨电子股份有限公司 | ||
| 简介 | 本发明提供一种半导体装置及其制造方法，提高半导体装置之性能; 本发明之半导体装置，於半导体基板1的主面形成闸极绝缘膜用之界面层3、HfON膜4a及HfSiON膜5a的叠层膜之後，於HfSiON膜5a上形成含Al膜6及遮罩层7後，将系n通道型MISFET形成预定区域的nMIS形成区域1A之遮罩层7与含Al膜6选择性地去除接着，於nMIS形成区域1A之HfSiON膜5a上与系p通道型MISFET形成预定区域的pMIS形成区域1B之遮罩层7上形成稀土含有膜8，并施行热处理，使nMIS形成区域1A的HfON膜4a、HfSiON膜5a与稀土含有膜8反应，使pMIS形成区域1B的HfON膜4a、HfSiON膜5a与含Al膜6反应而後，去除未反应之稀土含有膜8与遮罩层7後，形成金属闸电极 | ||
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