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一种测量乳腺钼靶X射线多参数的传感器阵列及其测量方法 发明授权

2023-02-24 3420 467K 0

专利信息

申请日期 2025-06-27 申请号 CN201410498587.3
公开(公告)号 CN104207794B 公开(公告)日 2017-01-18
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 中测测试科技有限公司
简介 本发明涉及X射线参数测量仪,具体涉及一种测量乳腺钼靶X射线多参数的传感器阵列及其测量方法,包括电路板(1)和过滤盖(2),在电路板(1)上设有由三个SI PIN二极管组成的探测器阵列(3),在所述三个SI PIN二极管的表面加有稀土层,所述过滤盖(2)上位置与电路板(1)上探测器阵列相适应处设有三个过滤孔(4),所述三个过滤孔(4)的厚度相互不等,所述电路板(1)上有三个SI PIN的信号引出端口。本发明解决现有技术中针对乳腺钼靶X射线装置无法通过一次曝光测量管电压、半值层、剂量和曝光时间的问题,且本发明的测量方法操作简单,准确度高,安全性好,以及测量成本低。


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