| 申请日期 | 2026-03-07 | 申请号 | CN202111266165.X |
| 公开（公告）号 | CN113981398A | 公开（公告）日 | 2022-01-28 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 河南科技大学 | ||
| 简介 | 本发明属于磁控溅射领域，具体涉及一种TiAlN复合薄膜的制备方法以及稀土掺杂TiAlN复合膜层。该方法包括以下步骤：(1)采用磁控溅射方式在基体表面制备稀土合金过渡层；所述稀土合金过渡层由La、Ce中的一种和Ti组成；(2)以氮气为工作气体，通过磁控溅射在稀土合金过渡层上制备TiAlLaN薄膜或TiAlCeN薄膜；其中，La或Ce的掺杂量为2.5～5.5％。本发明的采用磁控溅射制备稀土掺杂TiAlN复合薄膜，沉积所得薄膜致密性和膜基结合力好，摩擦学性能优良，非常适于TiAlN复合薄膜的工业化制备。 | ||
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