| 申请日期 | 2025-07-08 | 申请号 | TW105121934 |
| 公开（公告）号 | TW201703259A | 公开（公告）日 | 2017-01-16 |
| 公开国别 | TW | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 理光股份有限公司 | ||
| 简介 | 场效应晶体管， 包括： 衬底，钝化层，形成在衬底和钝化层之间的栅绝缘层，源电极和漏电极， 形成为与栅绝缘层接触的半导体层， 形成在至少源极和漏极之间并与栅绝缘层接触， 源极， 以及漏电极和栅电极， 其与栅极绝缘层接触并通过栅极绝缘层面对半导体层， 其中钝化层含有含碱土金属和稀土元素的第一复合氧化物，栅绝缘层含有含碱土金属和稀土元素的第二复合氧化物。 | ||
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