| 申请日期 | 2025-06-27 | 申请号 | CN202111175886.X |
| 公开（公告）号 | CN113990997A | 公开（公告）日 | 2022-01-28 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | ||
| 简介 | 本发明提供一种显示面板及其制备方法，该显示面板包括阵列基板、位于阵列基板表面的近红外Micro‑LED芯片阵列以及位于近红外Micro‑LED芯片阵列表面的色转化层；色转化层的材料包括转换荧光材料和掺杂于转换荧光材料中的稀土材料，在转换荧光材料添加稀土材料，由于稀土材料具有较低的声子能量，大大降低了无辐射弛豫几率的发生，有效的提高了转换荧光材料的发光效率，以Yb3+作为敏化剂，Er3+作为活化剂，通过Yb3+向Er 3+之间的能量传递，可以实现有效的近红外光向可见上转换光致发光效率，Er3+，Yb3+共掺的上转换荧光材料效率较高，色纯度高的优点，近红外光通过色转化层转化为纯净的红光、蓝光和绿光，且各个近红外Micro‑LED芯片寿命和性能相同，满足Micro‑LED的全彩化方案。 | ||
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