| 申请日期 | 2025-06-29 | 申请号 | CN201610690936.0 |
| 公开（公告）号 | CN106310523A | 公开（公告）日 | 2017-01-11 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 成都云士达科技有限公司 | ||
| 简介 | 本发明公开了可以生成负离子的粉体材料及其制备方法，所述粉体材料由以下重量份计的成分组成：电气石材料 30~60份；混合稀土材料或氧化稀土材料30~50份；半导体催化材料8~18份；辅助激发材料 8~20份；所述制备方法包括以下具体步骤：将电气石材料粉碎，并焙烧；将焙烧后的电气石材料加入研磨设备中进行超细粉碎；研磨处理即将结束时，加入表面处理剂进行表面处理；将混合稀土材料或者氧化稀土材料研磨至粒径分布小于1μm、半导体催化材料研磨至粒径分布小于0.5μm、辅助激发材料研磨至粒径分布小于0.2μm；粉体材料能够自动的释放负离子；制备方法，可以制备出可以生成负离子的粉体材料。 | ||
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