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传感器半导体芯片用铜合金材料 发明授权

2023-10-26 2240 355K 0

专利信息

申请日期 2025-06-27 申请号 CN201410643345.9
公开(公告)号 CN104451246B 公开(公告)日 2017-01-04
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 无锡信大气象传感网科技有限公司
简介 传感器半导体芯片用铜合金材料,主要包括铜元素,还包括镍、镉、锌、贵金属元素和稀土金属元素,所述镍、镉、锌、贵金属元素和稀土金属元素在铜合金中所占的重量百分比分别为:镍0.2%~0.6%,镉0.1%~0.3%,锌1.1%~2.2%,贵金属元素0.02%~0.05%,稀土金属元素0.03%~0.04%。本发明公开的铜合金材料用来封装传感器半导体芯片时,能够具有较佳的常温与高温抗氧化功效,用本发明铜合金封装的传感器半导体芯片,不仅可降低半导体芯片热膨胀系数,有助改善热疲劳可靠度,减少结合界面剥离的现象发生外,亦能降低金属间化合物层厚度,进而提高界面可靠度。


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