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一种基于细芯光纤马赫 曾德干涉仪的磁场测量方法 发明申请

2023-05-28 3090 639K 0

专利信息

申请日期 2025-07-07 申请号 CN201610849468.7
公开(公告)号 CN106291410A 公开(公告)日 2017-01-04
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 北京信息科技大学
简介 本发明提供了一种基于细芯光纤马赫 曾德干涉仪的磁场测量方法,所述测量方法包括以下步骤:a)搭建细芯光纤马赫 曾德干涉仪,细芯光纤马赫 曾德干涉仪依次连接泵浦源、一支波分复用器以及细芯光纤马赫 曾德结构;细芯光纤马赫 曾德结构包括一段细芯光纤、第一掺杂稀土光纤和第二掺杂稀土光纤,细芯光纤熔接在第一掺杂稀土光纤和第二掺杂稀土光纤之间,第一掺杂稀土光纤和第二掺杂稀土光纤作为光纤激光器的增益介质;b)将所述细芯光纤马赫 曾德结构与磁致伸缩材料固定;c)逐渐改变磁场强度,记录梳状谱移动的长度,绘制梳状谱移动长度与磁场强度的变化曲线;d)通过所述梳状谱移动长度与磁场强度的变化曲线对外加磁场进行测量。


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