| 申请日期 | 2025-07-15 | 申请号 | CN201610757793.0 |
| 公开（公告）号 | CN106252012A | 公开（公告）日 | 2016-12-21 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 京磁材料科技股份有限公司 | ||
| 简介 | 本发明提供了一种钕铁硼磁体的烧结方法，本发明在钕铁硼磁体制备过程中的多个步骤进行分析，从钕铁硼的烧结过程入手，采用分段烧结的方法，可以显著的防止晶粒长大，获得晶粒细小，密度均一的磁体，从而显著的提高磁体的磁性能，尤其是对于低稀土含量的钕铁硼磁体，特别是业内降低重稀土含量的同时，还会降低钕铁硼粉体的粒度以及过程氧含量，导致异常晶粒长大以及磁体的剩磁和方形度达不到要求的问题。本发明提供的方法能够得到无异常晶粒长大，且具有更好的剩磁和方形度的钕铁硼磁体。 | ||
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