| 申请日期 | 2025-09-12 | 申请号 | CN201980037612.9 |
| 公开（公告）号 | CN112219273B | 公开（公告）日 | 2022-01-21 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | KSM元件株式会社; 韩国施美股份有限公司 | ||
| 简介 | 本发明公开了一种静电吸盘及其制造方法，所述静电吸盘具有高体积电阻率以降低漏电流，从而改善半导体晶片的吸附和解吸响应特性。所述静电吸盘是烧结体，在所述烧结体中浸有电极以通过静电力固定半导体晶片，并且所述静电吸盘包括氧化铝、烧结助剂和包含2至5种不同的稀土金属的稀土复合氧化物，具有2秒以下的半导体晶片的吸附和解吸响应特性，并且室温下的体积电阻率为1.0×1016Ω·cm至1.0×1017Ω·cm。 | ||
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