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一种稀土Ce掺杂Ti/Sb SnO2电极的制备方法 发明申请

2023-02-01 1880 825K 0

专利信息

申请日期 2025-07-07 申请号 CN201610710298.4
公开(公告)号 CN106167290A 公开(公告)日 2016-11-30
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 杨梅
简介 本发明公开了一种稀土Ce掺杂Ti/Sb SnO2电极及其制备方法。所述稀土Ce掺杂Ti/Sb SnO2电极包括钛基片、在钛基片表面涂覆涂液后氧化形成的Ti/Sb SnO2层以及在Ti/Sb SnO2层表面反复涂覆Ce活性层形成Ce掺杂的Ti/Sb SnO2电极,其制备方法包括Ti电极的制备、Ti/Sb SnO2电极的制备、Ce掺杂Ti/Sb SnO2电极的制备等步骤。本发明利用稀土元素Ce特殊的原子结构及其化合物具有特殊的光、电、磁性质以及其较高的热稳定性提高电极的催化活性和电流效率。


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