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一种稀土掺杂的晶体硅、其制备方法及太阳能电池 发明申请

2023-08-08 1790 359K 0

专利信息

申请日期 2025-07-31 申请号 CN201610719064.6
公开(公告)号 CN106169512A 公开(公告)日 2016-11-30
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 晶科能源有限公司; 浙江晶科能源有限公司
简介 本发明提供一种稀土掺杂的晶体硅,其特征在于,所述晶体硅为N型晶体硅或P型晶体硅;所述稀土元素为铒、钍、铈、镱和铥中的一种或几种;所述稀土元素的掺杂量为0.01ppba~1000ppba。本发明通过在P型或N型晶体硅中掺杂一定量的稀土元素,能够有效提高晶体硅的光谱吸收限,将晶体硅的吸收光谱由400~1100nm左右提高至1100nm以上的波长,增加太阳光的吸收率,从而提高了太阳能电池的光电转化效率。实验结果表明,本发明中的稀土掺杂的晶体硅制成的太阳能电池的光电转化效率提升了0.1%。本发明还提供了一种稀土掺杂的晶体硅的制备方法和太阳能电池。


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