| 申请日期 | 2026-01-14 | 申请号 | CN201580019582.0 |
| 公开（公告）号 | CN106165018A | 公开（公告）日 | 2016-11-23 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 高通股份有限公司 | ||
| 简介 | 一种磁性隧道结(MTJ)包括从亚铁磁稀土过渡金属(RE TM)合金形成的自由层，该亚铁磁RE TM合金具有由RE TM合金的稀土(RE)成分的亚晶格力矩主导的净力矩。该MTJ进一步包括从稀土过渡金属(RE TM)合金形成的钉扎层，该RE TM合金具有由RE TM合金的稀土(RE)成分的亚晶格力矩主导的净力矩，该钉扎层包括一个或多个非晶薄插入层以使得自由层和钉扎层的净磁矩很低或接近于零。 | ||
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