| 申请日期 | 2025-06-28 | 申请号 | CN201580008334.6 |
| 公开（公告）号 | CN106133914A | 公开（公告）日 | 2016-11-16 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 全斯鲁森特公司 | ||
| 简介 | 一种在硅衬底上生长III N半导体材料的方法，包括在单晶硅衬底上生长外延稀土氧化物层、以及采用氮等离子体改性外延稀土氧化物层表面的步骤。所述方法进一步包括在外延稀土氧化物层的改性表面上生长低温外延氮化镓层、以及在低温外延氮化镓层上生长体外延III N半导体材料层的步骤。 | ||
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