| 申请日期 | 2025-07-18 | 申请号 | CN202111139056.1 |
| 公开（公告）号 | CN113943531A | 公开（公告）日 | 2022-01-18 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 哈尔滨工业大学 | ||
| 简介 | 本发明公开了一种抗辐射封装加固的CMOS器件及其制备方法，属于功能材料制备技术领域。本发明解决了现有屏蔽材料无法有效解决CMOS器件受到总剂量效应影响后导致阈值电压的绝对值增大、甚至性能失效等问题。本发明首先将稀土金属氧化物与高Z金属材料进行复合，形成核壳结构，再将复合颗粒与树脂基体复合，涂覆于CMOS器件表面，制备成抗封装加固的辐射防护涂层。本发明制备的核壳结构复合颗粒在树脂基体中分散开后，会在微观结构上形成不同材料多层交替的结构，实现射线在材料中的交替穿透，使材料具备更好辐射屏蔽能力的同时，简化了多层交替材料的制备工艺。 | ||
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