| 申请日期 | 2025-06-29 | 申请号 | CN201610366292.X |
| 公开（公告）号 | CN106057641A | 公开（公告）日 | 2016-10-26 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 清华大学 | ||
| 简介 | 本发明公开了半导体结构以及制备半导体结构的方法。该方法包括：提供衬底，所述衬底为玻璃；以及(2)在所述衬底的上表面通过溅射沉积，形成稀土氧化物层；以及(3)在所述稀土氧化物层远离所述衬底的一侧形成半导体层，其中，所述稀土氧化物层以及所述半导体层具有晶体择优取向。由此，可以降低制备成本，简化制备工艺，并获得具有晶体择优取向的稀土氧化物结构。并且，稀土氧化物层能够诱导半导体层的形成，使形成的半导体层中的晶格排列具有择优取向性。 | ||
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