| 申请日期 | 2025-07-30 | 申请号 | TW100143156 |
| 公开（公告）号 | TWI554659B | 公开（公告）日 | 2016-10-21 |
| 公开国别 | TW | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 信越化学工业股份有限公司 | ||
| 简介 | 一种SiC单晶的制造方法，其包括：将SiC晶种配置於石墨坩埚内之底部部分；使含有Si、C及R(R为选自包含Sc及Y之稀土元素的至少一者)或X(X为选自由Al、Ge、Sn、及排除Sc和Y之过渡金属所组成之群组的至少一者)之溶液存在该坩埚中；将该溶液过冷以使该SiC单晶在该晶种上生长；及从该石墨坩埚上方将粉状或颗粒状Si及/或SiC原料添加於该溶液，同时保持SiC单晶之生长 | ||
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