| 申请日期 | 2025-06-24 | 申请号 | TW099129680 |
| 公开（公告）号 | TWI555224B | 公开（公告）日 | 2016-10-21 |
| 公开国别 | TW | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 半导体能源研究所股份有限公司 | ||
| 简介 | 提供一种发光元件，其中n(n为二或更大之自然数)个EL层系提供於阳极和阴极之间在第m(m为自然数，1mn-1)个EL层和第(m+1)个EL层之间，包含任何硷金属、硷土金属、稀土金属、硷金属化合物、硷土金属化合物及稀土金属化合物之第一层、与第一层接触之包含具有高电子传输性质之物质的第二层，和与第二层接触之包含具有高电洞传输性质之物质和受体物质的电荷产生层系以此顺序提供於阳极上电荷产生层没有在可见光区之吸收光谱的峰 | ||
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