客服热线:18202992950

R-T-B类烧结磁体的制造方法 发明申请

2023-05-21 2000 2435K 0

专利信息

申请日期 2025-07-08 申请号 CN201610135857.3
公开(公告)号 CN106024364A 公开(公告)日 2016-10-12
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 日立金属株式会社
简介 一种R T B类烧结磁体的制造方法,其不使剩余磁通密度降低地使重稀土元素RH从R T B类烧结磁体原料的表面向内部扩散,能够抑制R T B类烧结磁体的破裂、缺损的发生。本发明的实施方式包括:准备R T B类烧结磁体原料的工序;准备RH扩散源的工序;在处理室内装入烧结磁体原料、RH扩散源和搅拌辅助部件的工序;和边使烧结磁体原料、RH扩散源和搅拌辅助部件移动,边将烧结磁体原料和RH扩散源加热的RH扩散工序。各烧结磁体原料为1000mm3以上,正交的三个方向的尺寸中最大尺寸为最小尺寸的2倍以上。各RH扩散源为3mm以下。搅拌辅助部件包括多个第一球体和多个第二球体。


您还没有登录,请登录后查看下载地址


反对 0举报 0 收藏 0 打赏 0评论 0
下载排行
网站首页  |  关于我们  |  联系方式  |  使用协议  |  版权隐私  |  网站地图  |  排名推广  |  广告服务  |  积分换礼  |  网站留言  |  RSS订阅  |  违规举报  |  京ICP备2021025988号-4