| 申请日期 | 2025-06-26 | 申请号 | CN201410107545.2 |
| 公开（公告）号 | CN103839641B | 公开（公告）日 | 2016-10-05 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 沈阳中北真空设备有限公司 | ||
| 简介 | 本发明公开了一种钕铁硼稀土永磁器件的混合镀膜设备及制造方法，镀膜设备设有真空室、圆柱旋转阴极磁控靶、平面阴极磁控靶、多弧离子靶、转架和料筐。工作时转架在真空室内公转，网状料筐两端有转轴安装在转架上即随着转架公转又自转。圆柱旋转磁控靶安装在真空室内转架内部，平面磁控靶、多弧离子靶、阳极层线性离子源和加热装置安装在真空室内转架的周围，真空镀膜共分3层，第一层为磁控溅射镀层，镀层厚度为：0.1-5μm，第二层为磁控溅射和多弧的混合镀层，镀层厚度为：1-15μm，第三层为磁控溅射镀层，镀层厚度为：0.1-5μm。采用混合镀膜作稀土永磁器件的表面处理工序，不仅提高了稀土永磁器件的抗腐蚀能力，同时也提高了稀土永磁器件的磁性能。 | ||
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