| 申请日期 | 2025-06-26 | 申请号 | CN201310415038.0 |
| 公开（公告）号 | CN103456451B | 公开（公告）日 | 2016-09-21 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 南京理工大学; 江苏晨朗电子集团有限公司 | ||
| 简介 | 本发明公开了一种室温高磁能积耐腐蚀烧结钕铁硼的制备方法。在制备不含Dy等重稀土元素的Nd(Pr) Fe B合金粉体的基础上，利用基于磁控溅射的粉体镀膜工艺，将Co、Al以及Cu、Ga、Nb等合金元素同时溅射到气流磨粉体表面，在晶界引入提高电化学腐蚀电位的Co、Al元素，抑制晶粒长大的Cu、Nb元素以及降低晶界熔点、改善晶界的Ga元素，同时适当降低后续热处理工艺的温度，抑制了晶粒的过度长大的同时，使合金化元素在烧结过程中在晶界附近适度扩散。本发明通过晶界相比例和电位的控制，同时获得高磁能积与优异的耐腐蚀性能，实现了室温高磁能积耐腐蚀烧结钕铁硼的制备。 | ||
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