| 申请日期 | 2025-06-27 | 申请号 | CN201610274316.9 |
| 公开（公告）号 | CN105957706A | 公开（公告）日 | 2016-09-21 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 北京科技大学 | ||
| 简介 | 一种压力浸渗Dy3+/Tb3+制备高性能钕铁硼磁体的方法，属于稀土永磁材料领域。具体工艺步骤为：先将钕铁硼取向压坯真空预烧结得到部分致密的预烧坯；再将Dy/Tb盐溶于有机溶剂中，通过压力浸渗方式，将Dy/Tb盐有机溶液在钕铁硼预烧坯内部“过滤”；Dy3+/Tb3+部分留在预烧坯孔隙内部，经过进一步烧结致密化并发生Dy3+/Tb3+晶界扩散，从而提高烧结钕铁硼磁体的矫顽力。该发明的优点是磁体不受尺寸和形状限制；大大缩短了Dy3+/Tb3+的扩散路径和扩散时间；磁体内部组织结构改善和性能提高的一致性好。 | ||
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