| 申请日期 | 2026-04-28 | 申请号 | CN202111194382.2 |
| 公开（公告）号 | CN113937619A | 公开（公告）日 | 2022-01-14 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 北京工业大学 | ||
| 简介 | 本发明公开了一种异带泵浦1550nm的光子级联VCSEL激光器及制备方法，衬底上的VCSEL芯片外延结构自衬底侧向上依次包括：N型DBR层、N型全反射DBR层、稀土元素掺杂层、N型波导层、半导体量子阱层、P型波导层、氧化层、P型全反射DBR层和P型DBR层；N型全反射DBR层、N型波导层、半导体量子阱层、P型波导层和P型全反射DBR层构成第一激光谐振腔，N型DBR层、稀土元素掺杂层、氧化层和P型DBR层构成第二激光谐振腔，第一激光谐振腔和第二激光谐振腔形成光子级联复合腔。本发明通过稀土元素掺杂层实现能级跃迁过程中能量的高效利用，提高发光效率，并实现1550nm波长的激光输出。 | ||
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