| 申请日期 | 2025-07-17 | 申请号 | TW104127006 |
| 公开（公告）号 | TW201633512A | 公开（公告）日 | 2016-09-16 |
| 公开国别 | TW | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 英特尔股份有限公司 | ||
| 简介 | 薄膜电阻式记忆体材料堆叠包含一第一电极与一薄膜记忆体材料的一界面上的一高功函数金属氧化物以及一第二电极与该薄膜记忆体材料的一界面上的一低功函数稀土金属中之至少一者该高功函数金属氧化物提供了相对於记忆体材料的一良好的萧特基能障高度，而实现了高开启/关闭电流比该金属氧化物与切换氧化物间之相容性减少了氧/空缺的循环损耗，而实现了较佳的记忆体装置耐久性该低功函数稀土金属提供了高氧溶解度，以便增强刚沉积状态下的该记忆体材料内之空缺产生，而实现了低形成电压要求，且提供了该电阻式记忆体材料的欧姆接触 | ||
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