| 申请日期 | 2025-06-24 | 申请号 | CN201610248341.X |
| 公开（公告）号 | CN105938757A | 公开（公告）日 | 2016-09-14 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 北京科技大学 | ||
| 简介 | 一种提高高丰度稀土永磁材料磁性能的制备方法，属于稀土永磁材料制备领域。其特征是通过对高丰度稀土永磁材料进行晶界扩渗，扩渗源成份为(NdxPr100 x)a(DyyTb100 y)b(AlzCu100 z)100 a b(x＝0 100, y＝0 100, z＝5 30；a+b＝60 90, a> b≥5，重量分数)。具体工艺步骤是：真空冶炼扩渗源合金，将扩渗源合金制成薄带或粉末并附着在高丰度稀土永磁体表面，随后在真空炉中，600 900℃扩散处理1 8小时，450 550℃退火处理1 5小时。本发明的优点是通过晶界扩渗少量复合中重稀土－铜铝合金，既可改善晶界相的分布提高去磁耦合作用，又可改善内禀性能，磁性能特别是矫顽力提升效果显著。 | ||
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