| 申请日期 | 2025-06-26 | 申请号 | CN201310361934.3 |
| 公开（公告）号 | CN103468224B | 公开（公告）日 | 2016-09-07 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 杭州电子科技大学 | ||
| 简介 | 本发明涉及一种稀土RPdIn材料在低温磁制冷中的应用。本发明化学式为RPdIn(R=钬Ho、镝Dy或铽Tb)的稀土金属材料在低温区磁制冷方面的应用。该RPdIn材料具有ZrNiAl型晶体结构。本发明磁制冷用稀土RPdIn(R=钬Ho、镝Dy或铽Tb)材料不仅具有良好的磁、热可逆性质。在0～7T磁场变化下HoPdIn的等温磁熵变和磁制冷能力分别高达17.7 J/kgK和635 J/kg。本发明RPdIn(R=钬Ho、镝Dy或铽Tb)材料采用常规技术手段制备，该方法工艺简单、适用于工业化。 | ||
|
您还没有登录，请登录后查看下载地址
|
客服热线：
手机版
二维码
