| 申请日期 | 2025-07-12 | 申请号 | CN201510054369.5 |
| 公开（公告）号 | CN104659124B | 公开（公告）日 | 2016-09-07 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 北京科技大学 | ||
| 简介 | 本发明提供一种太阳能电池吸收层材料及其制备方法，属于太阳能光电吸收层材料、半导体材料领域。本发明结合中国的稀土资源优势，采用稀土元素取代In制备太阳能电池吸收层材料Cu(InxX1 x)Se2，其中X为稀土元素，特别是采用稀土元素钇(Y)掺杂/取代In和Ga制备太阳能电池吸收层材料Cu(InxY1 x)Se2。本发明可减少Cu(InxGa1 x)Se2太阳能电池材料中稀散金属In和Ga的使用量，同时提高了CuInSe2系吸收层材料的禁带宽度, 增加了太阳光光谱响应的匹配性，提高了Cu(InxX1 x)Se2太阳能电池的转化效率。 | ||
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