| 申请日期 | 2025-07-07 | 申请号 | CN201410349447.X |
| 公开（公告）号 | CN104108930B | 公开（公告）日 | 2016-08-24 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 桂林电子科技大学 | ||
| 简介 | 本发明公开了一种在350℃以上使用的高温稳定型介电陶瓷及其制备方法，成分以通式(1 x)Bi1/2Na1/2TiO3 x(La, Bi)2/3TiO3 +zRE2O3来表示，其中RE2O3为稀土氧化物，(La, Bi)中La : Bi=1 : 1(摩尔比)，x与z表示摩尔分数，0< x< 0.3，0< z ≤0.1。本发明的高温稳定型介电陶瓷采用电子陶瓷制备工艺制备而成，采用二次预烧增加陶瓷成分与结构的均匀性，降低陶瓷烧结的工艺敏感性。制备工艺简单、稳定，适合工业推广应用。本发明的陶瓷材料高温介电温度稳定性好，介电常数大，具有低的介电性能温度系数，适合高温MLCC介质使用。 | ||
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