| 申请日期 | 2025-07-05 | 申请号 | CN201610302285.3 |
| 公开（公告）号 | CN105887197A | 公开（公告）日 | 2016-08-24 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 中国科学院合肥物质科学研究院; 中国电子科技集团公司第二十六研究所 | ||
| 简介 | 本发明公开了一种稀土倍半氧化物的提拉法晶体生长装置，将铼坩埚用铼支架从底部支撑，利用置于加热线圈中的支架托盘作为一个发热体来补偿支撑装置从坩埚底部导走的热量，避免了由于下支撑结构可能形成负温度梯度温场的可能性。同时由于铼支架的底部离坩埚和加热线圈很远，因而温度较低，可以直接和氧化铝保温接触，从而解决了坩埚的下支撑问题。在整个装置中氧化锆保温材料和铼没有接触，因而不会出现铼坩埚被氧化的问题。本装置主要用于高熔点大尺寸稀土倍半氧化物的提拉法晶体生长。 | ||
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