| 申请日期 | 2025-07-23 | 申请号 | CN201380050338.1 |
| 公开（公告）号 | CN104684870B | 公开（公告）日 | 2016-08-17 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 京瓷株式会社 | ||
| 简介 | 本发明提供一种导热率高的氮化硅质烧结体及加热装置以及吸附装置。本发明的氮化硅质烧结体具有氮化硅的结晶、MgRE4Si3O13的结晶(RE为稀土元素)、和REMgSi2O5N的结晶，因此具有高导热率。另外，具备包含这样的氮化硅质烧结体的保护管的加热装置能够高效传导加热器的热。而且，具备包含这样的氮化硅质烧结体的吸附构件的吸附装置能够将被吸附体所具有的热高效地散热。 | ||
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