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用于硅太阳能电池的光下转换层及其制备方法 发明申请

2023-02-09 3260 340K 0

专利信息

申请日期 2026-03-10 申请号 CN201510026440.9
公开(公告)号 CN105870239A 公开(公告)日 2016-08-17
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 长春工程学院
简介 本发明涉及一种用于硅太阳能电池的光下转换层及其制备方法。首先制备稀土有机-无机杂化近红外量子剪裁纳米材料,将其均匀分散在透明的聚合物中,采用旋涂法或浸渍提拉法制成用于硅太阳能电池的光下转换层。该转换层中的稀土有机-无机杂化近红外量子剪裁纳米材料的光吸收摩尔系数大、吸收带宽,无机基质保护发光中心阳离子避免非辐射钝化源猝灭发光,并且与高分子聚合物相容性好。这类稀土有机-无机杂化近红外量子剪裁纳米材料能够有效地吸收太阳光中电池光谱响应较差的短波长光子,发射出硅太阳能电池光谱响应好的近红外光子,从而提高硅太阳能电池的光谱响应,减少硅太阳能电池因光谱失配造成的能量损失,提高硅太阳能电池光电转换效率。


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