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晶体硅及其制备方法 发明申请

2023-11-25 1640 247K 0

专利信息

申请日期 2025-06-28 申请号 CN201610221586.3
公开(公告)号 CN105839182A 公开(公告)日 2016-08-10
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 西安隆基硅材料股份有限公司
简介 本发明的晶体硅材料包括硅、镓及镧系稀土元素X,所述镧系稀土元素X的浓度为1010~1016原子每立方厘米。利用如上所述的晶体硅制造的太阳能电池,对电学性能有帮助。本发明还提供如上所述的晶体硅的制备方法。本发明的晶体硅材料掺杂镓以减少光衰、并利用硼元素调节电阻率分布,提高产率及品质。并且,掺杂的镧系稀土元素X通过下转换作用,能够有效的提高硅材料对紫外波段光的利用率,利用该晶体制得的太阳能电池显著提高了转换效率。


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