| 申请日期 | 2026-03-06 | 申请号 | CN201180033841.7 |
| 公开（公告）号 | CN103003898B | 公开（公告）日 | 2016-07-27 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 日立金属株式会社 | ||
| 简介 | 一种R-T-B类烧结磁体的制造方法，其包括：准备R-T-B类烧结磁石体(1)的工序；准备含有重稀土元素RH(包含Dy和Tb中的至少一种)并含有30质量％以上且80质量％以下的Fe的RH扩散源的工序；将烧结磁石体(1)和RH扩散源(2)以能够相对移动且能够接近或接触的方式装入处理室(3)内的工序；和一边使烧结磁石体(1)和RH扩散源(2)在处理室(3)内连续地或断续地移动，一边将其加热到超过850℃且1000℃以下的温度的RH扩散工序。 | ||
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