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一种具有层状结构吸波硅碳氮陶瓷及制备方法 发明申请

2023-11-25 4280 654K 0

专利信息

申请日期 2025-06-28 申请号 CN202111182934.8
公开(公告)号 CN113896543A 公开(公告)日 2022-01-07
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 西北工业大学
简介 本发明涉及一种具有层状结构吸波硅碳氮陶瓷及制备方法,采用稀土金属钇(Y)改性聚硅氮烷前驱体PSZ‑50,在800~1100℃条件下形成具有层状结构的硅碳氮陶瓷。本发明的制备工艺简单,可操作性强,制备了稀土金属氧化物颗粒均匀分布的层状硅碳氮陶瓷,且氧化物颗粒的大小与含量均可调控。硅碳氮陶瓷中存在的二维(2D)层状结构和零维(0D)颗粒形成大量多尺度异质界面结构和缺陷,有效增加了陶瓷的极化损耗能力,解决了硅碳氮陶瓷对电磁波损耗能力不足的问题。硅碳氮陶瓷中的多尺度异质界面结构和稀土金属催化析出的纳米导电碳相,一方面增加了电磁波的传播路径,另一方面提高了材料对电磁波的损耗,为制备高温承载吸波一体化陶瓷基复合材料提供了新思路。


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