| 申请日期 | 2025-06-24 | 申请号 | CN201610208083.2 |
| 公开（公告）号 | CN105803266A | 公开（公告）日 | 2016-07-27 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 南京工程学院 | ||
| 简介 | 本发明提供一种低启动临界应力稀土磁控形状记忆合金及其制备方法，属于记忆合金材料领域，该材料具有室温条件下较弱外磁场控制产生变形的能力，是一种可在室温条件下由强度较小的外磁场变化驱动马氏体孪晶界迁移产生应变的一种新型稀土磁控形状记忆合金。该合金化学式为：CoxNiyAlzCej；其中，18≤x≤43，27≤y≤34，26≤z≤40，1≤j≤15，x+y+z+j=100，x、y、z、j表示摩尔百分比含量。本发明稀土磁性材料与现有材料相比，具有较低的马氏体孪晶迁移启动临界应力，较宽的磁致应变温度范围，较大的磁致应变量以及良好的力学性能，可在室温下使用的微位移器、震动和噪声控制、线性马达、微波器件、机器人等领域有重要应用。 | ||
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