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一种硅酸盐晶体的生长方法 发明申请

2023-03-09 1600 487K 0

专利信息

申请日期 2025-08-22 申请号 CN201610165600.2
公开(公告)号 CN105803517A 公开(公告)日 2016-07-27
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 沈丽明
简介 发明提供的一种硅酸盐晶体的生长方法,包括以下步骤:将稀土氧化物和氧化硅置于球磨机中球磨混料,得混合粉料;将混合粉料分批装入衬有玻璃纸的模具中,在油压机中压成料饼;将料饼置于坩埚中,通入混合气体高温烧结,使其发生固相反应,降温至室温;将装有产物的坩埚置于提拉炉中,恒温使其完全熔化,得熔体;将籽晶在结晶温度下接触熔体,控制籽晶旋转速度经缩颈、放肩、等径、收尾、原位退火五步提拉工艺使晶体生长,得硅酸盐晶体。本发明采用提拉法促进硅酸盐晶体生长,通过对原料、生长条件、生长工艺优化,使制得的硅酸盐晶体生长性能均一、质量高、完全透明,无包裹体、气泡、开裂等宏观缺陷。


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