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R-T-B类烧结磁体的制造方法 发明授权

2023-05-23 3910 872K 0

专利信息

申请日期 2025-06-30 申请号 CN201180047338.7
公开(公告)号 CN103140903B 公开(公告)日 2016-06-29
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 日立金属株式会社
简介 本发明提供一种量产性优异的重稀土类元素RH的扩散处理。烧结磁体的制造方法包括:准备R-T-B类烧结磁石体的工序,准备包括含有Dy和Tb的至少一种的氟化物、氧化物、氧氟化物中的至少一种的RH扩散源的工序,将上述R-T-B类烧结磁石体与上述RH扩散源以能够相对移动且能够接近或者接触的方式装入处理室内的工序,和边使上述R-T-B类烧结磁石体和上述RH扩散源在上述处理室内连续或断续地移动,边将上述R-T-B类烧结磁石体和上述RH扩散源加热到800℃以上950℃以下的处理温度的RH扩散处理工序。


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