| 申请日期 | 2026-03-15 | 申请号 | CN201610115971.X |
| 公开（公告）号 | CN105714374A | 公开（公告）日 | 2016-06-29 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 中国科学院长春应用化学研究所 | ||
| 简介 | 本发明提供了低成本稀土闪烁晶体的生长工艺，包括以下步骤，首先将RE2O3、二氧化硅、铈的氧化物和镥的氧化物作为原料进行混合后，得到混合原料；所述RE包括Gd、La和Y中的一种或多种；然后在真空或保护性气氛下，将上述步骤得到的混合原料经过烧结后，得到多晶料块；最后在真空或保护性气氛下，将多晶料块熔化后，在具有特定生长方向的籽晶的引导下，采用提拉法进行晶体生长后，得到稀土闪烁晶体。本发明从晶体生长理论出发，结合稀土闪烁晶体生长过程中的界面处的键合结构，确定优势生长方向，采用相应的具有特定生长方向的籽晶，从而缩短了生长过程时间，降低了生长成本。 | ||
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