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单能量或多能量垂直辐射敏感探测器 发明授权

2023-01-05 4320 1740K 0

专利信息

申请日期 2025-07-13 申请号 CN201280007521.9
公开(公告)号 CN103339527B 公开(公告)日 2016-06-22
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 皇家飞利浦有限公司
简介 一种垂直辐射敏感探测器阵列(114),包括至少一个探测器叶(118)。所述探测器叶包括闪烁体阵列(210、502、807、907)和光传感器电路板(200、803、903),所述闪烁体阵列至少包括底侧(218)、后侧(214)和接收辐射的顶侧(212),所述光传感器电路板(200、803、903)包括光耦合到所述闪烁体阵列的所述后侧的光敏感区域(202、508、803、903)。所述探测器叶还包括:设置在所述闪烁体阵列之下的处理电子设备(406);电学地耦合所述光敏感区域与所述处理电子设备的柔性电路板(220);以及辐射屏蔽(236),其被设置在所述闪烁体阵列的所述底部之下、所述闪烁体与所述处理电子设备之间,从而屏蔽所述处理电子设备免受穿过所述闪烁体阵列的残余辐射。一些实施例包括诸如SrI2(Eu)的稀土金属碘化物。


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