| 申请日期 | 2025-08-23 | 申请号 | CN202111162293.X |
| 公开（公告）号 | CN113881312A | 公开（公告）日 | 2022-01-04 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 哈尔滨工业大学 | ||
| 简介 | 用于宇航级芯片总剂量效应防护的稀土‑高Z‑石墨烯‑复合涂层及其制备方法，属于辐射防护技术领域。本发明为了解决现有空间抗总剂量效应防护材料性能单一的技术问题。本发明是由功能填料和树脂基体组成的。所述的功能填料是由表面定向排布有稀土金属氧化物与高Z材料的石墨烯纳米卷组成，然后将其与树脂基体混合，利用超声辅助热喷涂装置将其涂覆于宇航级芯片表面，分段固化成型。本发明可有效提高复合涂层整体的总剂量效应辐照性能，有效防止辐照对涂层及基底产生降解和性能退化作用。 | ||
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