| 申请日期 | 2026-04-20 | 申请号 | CN201610023479.X |
| 公开（公告）号 | CN105671521A | 公开（公告）日 | 2016-06-15 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 电子科技大学 | ||
| 简介 | 本发明涉及一种高通量湿法化学组合材料芯片制备装置以及制备方法，包括温控箱，温控箱内设有支撑架，支撑架上设有废液池，废液池的竖直上方设有反应池，反应池的底部设有池底排液口，池底排液口处设有排液速度控制器，反应池的竖直上方设有溶液池，溶液池的底部设有加液口，加液口处设有加液速度控制器，反应池的竖直上方设有垂直提升器，垂直提升器通过提升线固定连接有夹具，还包括检测装置。本发明可用于包含稀土元素等在大气环境下不稳定、其氧化物又不宜制成靶材的材料的高通量组合材料芯片的制备；反应过程温度较低，通过控制反应溶液温度进一步降低基底温度，防止制备过程中基底温度过高生成中间化合物，阻止扩散的进一步进行。 | ||
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